NXP совершает прорыв в производительности полевых МОП-транзисторов, представив первый в мире транзистор в корпусе Power S08 Package с сопротивлением ниже 1 мОм

Мировой лидер от NXP устанавливает новый стандарт эффективности и производительности полевых МОП-транзисторов

Эйндховен, Нидерланды, 8 июля 2009 г. – NXP Semiconductors, независимая компания по производству полупроводниковых компонентов, основанная Philips, сегодня объявила о выпуске первого в мире n-канального 25-вольтового полевого MOП-транзистора (MOSFET) PSMN1R2-25YL, обеспечивающего самое низкое значение R_DSon (менее 1 мОм) и лучший в классе показатель Figure of Merit. Транзистор нового поколения, упакованный в корпус Power-SO8 (Loss Free package: LFPAK), обладает самым низким в мире значением сопротивления R_DSon и является продолжением существующей линейки полевых MOП-транзисторов NXP. В транзисторе объединены высокая производительность корпуса Power-S08 LFPAK и новейшее ядро поколения Trench 6, обеспечивающие множество преимуществ производительности и надежности для поддержки широкого диапазона требовательных приложений, таких как power OR-ring, управление двигателями и высокоэффективные синхронные регуляторы напряжения.

“Технология производства полевых МОП-транзисторов находится в состоянии постоянной гонки за производительность”, - говорит Джон Дэвид Хьюз (John David Hughes), старший менеджер по международному продуктовому маркетингу NXP. - “Новый процесс Trench 6 использует инновационные технологии, позволяющие еще далее снизить сопротивление канала. Новая технология Trench обладает большим количеством преимуществ, среди которых повышение эффективности переключений за счет кристалла и высоких тепловых и электрических характеристик корпуса. Корпус NXP Power-S08 (LFPAK) совместим с популярными корпусами Power SO-8 PCB.”

Передовые полевые МОП-транзисторы NXP PSMN1R2–25YL, изготовленные с использованием процесса Trench 6, обеспечивают сопротивление R_DSon 0,9 мОм для конфигураций со средним напряжением 25 В в корпусе Power-S08 (LFPAK), и 1,0 мОм (среднее напряжение) для конфигураций с напряжением 30 В.

В дополнение к объявлению полевого МОП-транзистора с самым низким в мире значением R_DSon, NXP также представляет новую линейку продуктов для рынков источников питания, управления двигателями и промышленной электроники. Линейка продуктов обеспечивает рабочие напряжения 25, 30, 40 и 80 вольт и использует корпуса Power-S08 (LFPAK) и TO220.

Доступность:

Транзисторы PSMN1R2–25YL доступны по цене $0.80 (для партий в 1000 единиц).

Документацию и более подробную информацию о полевых МОП-транзисторах NXP на базе Trench 6, Вы можете получить на сайте:　 http://www.nxp.com/infocus/topics/lowest_rds_mosfet/index.html

О компании NXP

Компания NXP Semiconductors – ведущий поставщик полупроводниковых компонентов – была основана более 50 лет назад корпорацией Philips. Главный офис компании расположен в г.Эйндховен, Нидерланды. Компания насчитывает 28 000 сотрудников, которые работают более чем в 30 странах мира. Годовой доход в 2008 году составил 5,4 млрд долларов США (включая подразделение Mobile&Personal). Компания NXP производит полупроводниковые компоненты, системные решения и программное обеспечение для телевизоров и телевизионных приставок, систем идентификации, мобильных телефонов, автомобилей и широкого спектра других электронных устройств. Новости о компании NXP можно прочитать на сайте www.nxp.com.